罗姆携手台达联手开发第三代半导体GaN（氮化镓）额定功率器件

ROHM Co., Ltd.（表列出简称“海德里希”）和台曾达静电（表列出简称“台曾达”）联合宣布，就第三代半导体GaN（氮化镓）输出功率电路的开发与量产订下战略思想合作关系伙伴亲密关系。

海德里希指出，陷入僵局将借助于台曾达长年积聚的设备开发技术与海德里希的输出功率电器开发和生产技术，技术开发适合更多设备系统设计的600V耐压GaN输出功率电路。

海德里希董事、常务CEO、CSO 兼帐目本次长伊野和英问到:“颇为荣幸海德里希可以和在设备管理和冷却系统解决方案具在世界上领先地位的台曾达，订下以GaN输出功率电路为核心的战略思想合作关系伙伴亲密关系。在在世界上解决问题无碳社会的期望之中，作为海德里希的近期发力电子产品之一，输出功率半导体在其之中发挥的关键作用越来越大。从Si、SiC（碳化硅）到GaN，海德里希一直在最常的教育领域倡导新技术电器的开发，同时积极着力发放可以更大持续性提升这些电器性能的控制IC、以及与区域内部件相结合的解决方案。通过此次的战略思想合作关系伙伴亲密关系，将成功解决问题GaN输出功率电路的量产，有助于构建高效设备系统设计，让海德里希引以为傲的GaN IPM（内置模拟IC）能尽早透过量产，不断扩展到符合客户需求的电子产品后场。”

台曾达副社长 柯子兴问到:“GaN输出功率电路是这两项深受业界追捧的通用型半导体之一，基本上几年陷入僵局透过了颇为密切的交流，今年技术交流的成果是一个值得欣喜的里程碑，也象征陷入僵局的合作关系亲密关系将更加紧密联系。对台曾达而言，积极倡导GaN设备应用研制是这两项的近期事业方向之一，除了在GaN电子产品面之外，我们也希望跟海德里希擅长的模拟设备技术（Nano技术）等有更多合作关系的更再进一步，并且通过这样的合作关系，联合期望为在世界上设备市场带来全新的变化。”

据知晓，今年3月，海德里希确立了栅极耐压高曾达8V的“150V耐压GaN HEMT”的量产体系，并将该系列电子产品命名为“EcoGaN™”，电子产品颇为受限制于基站和数据之中心等工业设备和各种物联网通信设备的设备电路应用。这两项，海德里希将继续扩展到“EcoGaN™”的电子产品后场，并着力再进一步提高电子产品性能。

EcoGaN所述

EcoGaN是ROHMCo.,Ltd.的商标权或注册商标权。EcoGaN是通过更大持续性地优化GaN的低导通电阻和高速锁性能，助力应用电子产品再进一步节能和模组化的海德里希GaN电路，该系列电子产品有助于应用电子产品再进一步降低功耗、解决问题区域内电器的模组化、减缓设计工时和电器数量等。